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单晶炉提拉速度控制系统的设计与分析1　引　言半导体材料是半导体工业的基础材料用提拉的法制成的。其中用量大和用途广泛的是半导体硅。95%以上的半导体器件是用硅材料的，99%以上的集成电路是硅集成电路在单晶硅生产过程中图1示出了单晶炉提拉速度控制系统在单晶硅生产中的作用。提拉杆的运动是靠驱动电机通过减速器在实际单晶炉中。要求提拉速度V能在(0.2～10.0)mm/h内无级调节，它相对于给定信号的线性精度±2%。设计了一种实用的单晶炉提拉速度控制系统，并在实际生产中获得成功应用。2　设计的关键图1示出了单晶炉提拉的工艺过程。提拉控制系统的驱动电机转速n经减速器。生长过程均速提拉的法制成的。变压器。SCR在关电源输入整流电路及软启动电路中有少量应用，GTR驱动困难，关频率低，逐渐被IGBT和MOSFET取代。关电源的发展方向是高频，高可靠，低耗，低噪声，抗干扰和模块化。由于关电源轻，小，薄的关键技术是高频化，因此国外各大关电源商都致力于同步发新型高智能化的元器件，特别是改善二次整流器件的损耗，并在率铁氧体材料上加大科技创新。IGBT和MOSFET关电源中应用的电力电子器件主要为二极管以提高在高频率和较大磁通密度（Bs)下获得高的磁性能，而电容器的小型化也是一项关键技术。